AIæ•°æ®ä¸å¿ƒä¾›ç”µæž¶æž„的范å¼é©å‘½â€”当800V高压直æµé‡ä¸Šä¸‡äº¿å‚数大模åï¼Œï¼Œè°æ˜¯å·¥ä¸šé“¾çš„éšå½¢å† 军????
æ–‡ | 邱剿´²èŠAIDC电æºï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿ
ã€å¯¼è¯ã€‘
ä¸Šä¸€ç¯‡æ–‡ç« æˆ‘ä»¬æŽ¢è®¨äº†AI芯片的电力é©å‘½ï¼Œï¼Œè¿™åœºç”µåŠ›é©å‘½æ˜¯å…³äºŽAI芯片(GPU, TPUç‰)æ¿å¡ä¸Šæœ€åŽæ•°å毫米到数毫米的供电手艺和产å“ï¼Œï¼Œæœ¬æ–‡æˆ‘ä»¬è¦æŽ¢è®¨çš„æ˜¯ä»Žéƒ½ä¼šçš„ä¸åŽ‹å˜ç”µç«™æˆ–者大型数æ®ä¸å¿ƒçš„ä¸åŽ‹å˜ç”µç«™ï¼ˆ10ï¼35KV AC)到数æ®ä¸å¿ƒæœºæŸœå†…çš„AIèŠ¯ç‰‡å…¨æ ˆä¾›ç”µæž¶æž„çš„èŒƒå¼é©å‘½ã€‚。。。
2026年,,英伟达B300系列GPUå•å¡åŠŸè€—çªç ´1400W,,一个满载的NVL144机柜功耗已迫近1000kW——这相当于1500个通俗家åºçš„用电总和。。。。
在AI算力以指数级膨胀的背åŽï¼Œï¼Œä¸€åœºé™é»˜å´å†³ç»çš„供电架构é©å‘½æ£åœ¨æ¯ä¸€ä¸ªæ•°æ®ä¸å¿ƒå†…部é…酿。。。。交æµç”µç»Ÿæ²»äº†ç”µç½‘一百多年,,但今天,,它æ£åœ¨è¢«"赶出"æ•°æ®ä¸å¿ƒã€‚。。。从ä¸ä½ŽåŽ‹åˆ°800V高压,,从分立电æºï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ¦ˆå«é…’都晌妊蛊鳌ç¬Â±ç”¯é”闹站,,指å‘ä¸€ä¸ªå‰æ‰€æœªè§çš„天下:端到端的全直æµä¾›ç”µç³»ç»Ÿã€‚。。。
è¿™ä¸ä½†æ˜¯å·¥ç¨‹æ‰‹è‰ºçš„æ¼”è¿›ï¼Œï¼Œæ›´æ˜¯ä¸€å¼ æ£åœ¨å¾å¾ç开的价值数åƒäº¿çš„工业链投资地图。。。。
一ã€ç®—力狂奔倒逼供电é©å‘½ï¼šæœºæž¶åŠŸçŽ‡å¯†åº¦çš„æŒ‡æ•°çº§è·ƒè¿
若是è¦ç”¨ä¸€ä¸ªè¯æ¦‚括AIæ•°æ®ä¸å¿ƒå·²å¾€å年的转å˜ï¼Œï¼Œé‚£å°±æ˜¯"密度"——算力密度ã€çƒå¯†åº¦ã€ä»¥åŠæœ€å®¹æ˜“被忽视的功率密度。。。。
åå¹´å‰ï¼Œï¼Œä¸€ä¸ªæ ‡å‡†æœºæž¶çš„功耗ä¸è¿‡5-10kW。。。。一å°2UæœåŠ¡å™¨å¡žä¸¤é¢—è‡³å¼ºCPUã€å‡ å—ç¡¬ç›˜ï¼Œï¼ŒåŠŸè€—æŽ§åˆ¶åœ¨å‡ ç™¾ç“¦ï¼Œï¼Œé£Žå†·ç»°ç»°æœ‰ä½™ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚é‚£æ—¶ï¼Œï¼Œäº¤æµä¾›ç”µç³»ç»Ÿï¼ˆAC UPS + 逿œºAC/DC PSUï¼‰æ˜¯è¡Œä¸šæ ‡é…â€”â€”æ•ˆçŽ‡å·®å‡ ä¸ªç™¾åˆ†ç‚¹ä¸æ˜¯å¤§äº‹ï¼Œï¼Œç”±äºŽæ€»åŠŸè€—åŸºæ•°å¤ªå°ï¼Œï¼Œçœä¸‹æ¥çš„ç”µè´¹è¿˜ä¸æ•·ä¹°ä¸€å¥—新装备。。。。
AI的泛起让这个"æ¬é™åŒº"瞬间崩塌。。。。
目今最新一代AIæœåŠ¡å™¨ç”µæºçš„åŠŸçŽ‡å¯†åº¦å·²ç»æŠµè¾¾100W/in?,,未æ¥å°†çªç ´180W/in?ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚å•æœºæž¶åŠŸè€—ä»Žåå‡ kW一起飙å‡è‡³100kW+ï¼Œï¼Œå¤æ¿çš„"ä½ŽåŽ‹äº¤æµæ¼«è¡å¼"架构袒露了致命缺陷:æ¯ä¸€çº§AC/DC转æ¢éƒ½åœ¨å‘çƒï¼Œï¼Œé“œæŽ’截é¢ç§¯éšç”µæµå¹³æ–¹æš´æ¶¨ï¼Œï¼Œæœºæž¶å†…部空间被电æºï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ¥¹èœ•⑷认低åµç¼˜é¡æ¡“啥净——留给GPU算力的空间å而越æ¥è¶Šå°ã€‚。。。
æ£å¦‚Google在APEC 2025上展示的蹊径图:供电架构æ£åœ¨å±¥åŽ†ä¸€åœºä»Ž"ä½ŽåŽ‹äº¤æµæ¼«è¡å¼"å‘"高压直æµé›†ä¸å¼"çš„æ ¹å¤©æ€§è½¬å˜ã€‚。。。这ç»ä¸æ˜¯ä¿®ä¿®è¡¥è¡¥ï¼Œï¼Œè€Œæ˜¯ä¸€æ¬¡å½»åº•的范å¼é©å‘½ã€‚。。。
英伟达 GPU芯片功率演进蹊径图
英伟达Kyber AIæ•°æ®ä¸å¿ƒæŠ˜åС噍
二ã€HVDC 800Vï¼šä¸ºä»€ä¹ˆé«˜åŽ‹ç›´æµæ˜¯ç»ˆå±€è°œåº•????
从ä¸åŽ‹å˜ç”µç«™åˆ°AI GPU芯片的直æµä¾›ç”µé“¾è·¯
HVDC(高压直æµä¾›ç”µï¼‰å¹¶éžæ–°çœ‹æ³•,,通讯基站里48Vç›´æµä¾›ç”µç”¨äº†è®¸å¤šå¹´ã€‚。。。但在AIæ•°æ®ä¸å¿ƒè¿™ä¸ªåŠŸè€—æ€ªå…½çœ¼å‰ï¼Œï¼Œ800V高压直æµçš„ç»æµŽæ€§å’Œæ‰‹è‰ºä¼˜åŠ¿è¢«æ”¾å¤§åˆ°äº†å ªç§°"暴力"的水平。。。。
OCP 2025的数æ®å¾ˆç›´ç™½ï¼šHVDC 800V供电架构å¯å°†ç«¯åˆ°ç«¯èƒ½æ•ˆæå‡5ä¸ªç™¾åˆ†ç‚¹ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚åœ¨å•æœºæž¶100kW+的功耗体é‡ä¸‹ï¼Œï¼Œ5%æ„å‘³ç€æ¯ä¸ªæœºæž¶æ¯å¹´çœä¸‹çš„电费就足以笼罩HVDC装备的全生命周期本钱。。。。更è¦å®³çš„æ˜¯ï¼Œï¼Œé«˜åŽ‹ç›´æµæž¶æž„自然简化了系统拓扑——故障率显著下é™ï¼Œï¼Œç»´æŠ¤æœ¬é’±é”å‡70%ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚æœ€ç›´æŽ¥çš„ç»æµŽè´¦æ˜¯ï¼šæœºæž¶å†…ä¸å†éœ€è¦é€ä¸ªè®¾ç½®AC/DC PSU,,CAPEXå’ŒOPEXåŒåŒè·³æ°´ã€‚。。。
有一组数å—容易被投资人忽略,,但在工程层é¢å ªç§°é™ç»´æ”»å‡»ï¼š
· ±400V HVDC vs 夿¿Â±48V:铜用é‡é•Œæ±°70%
· ±800V HVDC vs 夿¿Â±48V:铜用é‡é•Œæ±°80%
· ±1000V HVDC vs 夿¿Â±48V:铜用é‡é•Œæ±°84%
在铜价居高ä¸ä¸‹çš„今天,,80%的铜æèŠ‚çº¦æ„味ç€ç‰©æ–™æœ¬é’±æ–å´–å¼ä¸‹é™â€”â€”ä¸æ˜¯é™å‡ ä¸ªç‚¹ï¼Œï¼Œæ˜¯ç æŽ‰æ³°åŠã€‚。。。与æ¤åŒæ—¶ï¼Œï¼Œæ¼«è¡æ¶ˆè€—从±48Væ—¶çš„3.2%骤é™è‡³Â±1000Væ—¶çš„0.25%,,é è¿‘ä¸€ä¸ªæ•°ç›®çº§çš„è·¨è¶Šã€‚ã€‚ã€‚ã€‚ç”¨æ›´å°‘çš„é“œï¼Œï¼Œä¼ è¾“æ›´å¤šçš„åŠŸçŽ‡ï¼Œï¼Œæ¶ˆè€—è¿˜æ›´å°â€”—高压直æµçš„三é‡ç›ˆåˆ©ï¼Œï¼Œåœ¨ç‰©ç†å®šå¾‹å±‚颿˜¯æ— 解的。。。。
æ®QYResearchåŠæžœçœŸæ•°æ®ï¼Œï¼Œå…¨çƒAIDC HVDC市场æ£ç«™åœ¨çˆ†å‘å‰å¤œã€‚。。。800V架构预计2027年进入大规模安排,,届时HVDC电æºç³»ç»Ÿã€é«˜åŽ‹DC/DC转æ¢ï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ¤¤â’烫溲蛊鳎⊿ST)ç‰è¦å®³è£…备将修建一个年增é‡è¶…百亿美金的增é‡å¸‚场。。。。值得强调的是,,这ä¸ä½†æ˜¯æ–°å¢žè£…机,,更是一次å˜é‡çš„周全替æ¢â€”—现有数æ®ä¸å¿ƒçš„交æµä¾›ç”µç³»ç»Ÿï¼Œï¼Œåœ¨æœªæ¥åå¹´å°†è¢«é€æ¥ç¿»æ–°ä¸ºç›´æµæž¶æž„。。。。
三ã€ç«¯åˆ°ç«¯å…¨ç›´æµï¼šé‡æ–°æƒ³è±¡ç”µç½‘与数æ®ä¸å¿ƒçš„界线
若是HVDC 800V是数æ®ä¸å¿ƒä¾›ç”µçš„"自动脉"ï¼Œï¼Œé‚£ä¹ˆå…¨ç›´æµæž¶æž„就是让æ¯ä¸€ä¸ª"器官"都讲统一ç§è¯è¨€ã€‚。。。
夿¿æ•°æ®ä¸å¿ƒçš„ä¾›ç”µé“¾è·¯å ªç§°å†—é•¿ï¼šä¸åŽ‹äº¤æµç”µç½‘(10-35kV AC)进站åŽï¼Œï¼Œè¦ç»ç”±å·¥é¢‘å˜åŽ‹å™¨â†’ä½ŽåŽ‹é…电→UPS→AC/DC PSU这一长串环节,,至少3-4级AC/DC转æ¢ï¼Œï¼Œæ¯ä¸€çº§éƒ½æ˜¯æ•ˆçŽ‡çš„"收费站"。。。。
SST固æ€å˜åŽ‹å™¨çš„æ³›èµ·ï¼Œï¼Œè®©è¿™ä¸€åˆ‡å¯ä»¥æµ“缩为一æ¥ã€‚。。。;赟iC/GaNå“级三代åŠå¯¼ä½“器件的高频开关手艺,,SSTå¯ä»¥ç›´æŽ¥å°†æ•°ååƒä¼çš„ä¸åŽ‹äº¤æµç”µä¸€æ¥è½¬æ¢ä¸º800Vç›´æµç”µã€‚ã€‚ã€‚ã€‚ç›¸æ¯”å¤æ¿å·¥é¢‘å˜åŽ‹å™¨â€”â€”é‚£ç§é‡è¾¾æ•°å¨ã€å—¡å—¡ä½œå“çš„é“芯铜线巨兽——SST的体积缩å°80%以上,,效率å¯è¾¾98%+,,并且自然支æŒåŒå‘功率æµåŠ¨å’Œæ™ºèƒ½ç”µç½‘è°ƒç†ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚è¿™ä¸æ˜¯"改善",,是把整个å˜ç”µç«™è£…进了一个柜å。。。。
800Vç›´æµæ¯çº¿ä¸€æ—¦å»ºè®¾ï¼Œï¼Œä¸€ä¸ªæ›´å¼˜å¤§çš„图景éšä¹‹ç开——新能æºçš„æŽ¥å…¥å˜å¾—出奇简朴:
å…‰ä¼å‘电:光ä¼ç»„件输出的本就是直æµç”µã€‚。。。通过DC/DCå˜æ¢å™¨ç›´æŽ¥æ±‡å…¥800Væ¯çº¿ï¼Œï¼Œçœå޻逆å˜å™¨çŽ¯èŠ‚ï¼Œï¼Œæ•ˆçŽ‡ç™½ç™½å¤šå‡º3-5个百分点。。。。
å‚¨èƒ½ç³»ç»Ÿï¼šé”‚ç”µæ± å‚¨èƒ½ç³»ç»Ÿçš„ç›´æµè¾“出与800Vç›´æµæ¯çº¿è‡ªç„¶äº²å’Œï¼Œï¼Œæ— 需交æµè€¦åˆè½¬æ¢ï¼Œï¼Œå……放电效率更高,,å“åº”é€ŸçŽ‡æ›´å¿«ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚åœ¨ç”µç½‘å³°è°·ä»·å·®æ‹‰å¤§çš„é…æ™¯ä¸‹ï¼Œï¼Œå‚¨èƒ½çš„ç»æµŽæ€§è¿›ä¸€æ¥å‡¸æ˜¾ã€‚。。。
风力å‘电:风机输出虽为交æµï¼Œï¼Œä½†ç»ç”±AC/DCæ•´æµåŽå³å¯å¹³æ»‘接入800Væ¯çº¿ï¼Œï¼Œæ¯”夿¿å¹¶ç½‘方案精练得多。。。。
最终,,AIæ•°æ®ä¸å¿ƒå°†ä¸å†æ˜¯ç”µç½‘末梢的被动负è·ï¼Œï¼Œè€Œæ˜¯ä¸€ä¸ª"æºç½‘è·å‚¨"ååŒçš„能æºå¾®ç½‘节点——白天光ä¼ç›´é©±ï¼Œï¼Œå¤œé—´å‚¨èƒ½æŽ¥åŠ›ï¼Œï¼Œé£Žç”µéšæ—¶è¡¥ä½ï¼Œï¼Œç”µç½‘仅作åŽå¤‡ã€‚。。。这套架构在"东数西算"å’Œ"绿电+算力"çš„åŒé‡å›½å®¶æˆ˜ç•¥ä¸‹ï¼Œï¼Œæ”¿ç–适é…åº¦æ‹‰æ»¡ï¼Œï¼Œç¢³æŽ’æ”¾æ ¸ç®—ä¸Šä¹Ÿå 尽先机。。。。
å››ã€800V→50V→1V:数æ®ä¸å¿ƒçš„电力"物æµ"究竟有多é‡å¤§ï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿ
把800Vç›´æµæ¯çº¿çœ‹ä½œæ•°æ®ä¸å¿ƒçš„"特高压主干网",,那么æ¯ä¸€çº§DCDC转æ¢å°±æ˜¯"都会é…电网"åŠ "入户最åŽä¸€å…¬é‡Œ"。。。。这æ¡é“¾è·¯çš„æ•ˆçŽ‡ï¼Œï¼Œå†³è®®äº†GPU焦点收到的æ¯ä¸€ç“¦ç”µï¼Œï¼Œæ²¿é€”被"é›è¿‡æ‹”毛"äº†å‡ å¤šæ¬¡ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚
AIæ•°æ®ä¸å¿ƒæŠ˜åС噍
800V高压直æµé¦–å…ˆç»ç”±éš”离型DCDC转æ¢å™¨é™è‡³50Vå·¦å³çš„ä¸åŽ‹ç›´æµã€‚。。。这一级是整个链æ¡ä¸æœ€é è¿‘"å±é™©åŒº"的环节,,手艺挑战层层å åŠ ï¼š
· 800Vçš„è¶…é«˜è¾“å…¥ç”µåŽ‹ï¼Œï¼Œç›´æŽ¥ç›æŽ‰äº†æ‰€æœ‰ç¡…åŸºå™¨ä»¶â€”â€”åªæœ‰SiC MOSFET(1200V/1700Vè€åŽ‹å“级)扛得。。。。;
· 16:1的高é™åŽ‹æ¯”è¦æ±‚拓扑设计精妙,,LLCè°æŒ¯ã€ç§»ç›¸å…¨æ¡¥ç‰è½¯å¼€å…³æ–¹æ¡ˆæ˜¯ä¸»æˆ˜åœºï¼Œï¼Œæ•ˆçŽ‡æ¯æé«˜0.5%都是硬仗;;
· 清é™éš”离是刚需,,å˜åŽ‹å™¨çš„è®¾è®¡ç›´æŽ¥å°æ»äº†æ•ˆçŽ‡å’ŒåŠŸçŽ‡å¯†åº¦çš„å¤©èŠ±æ¿ï¼›ï¼›
· 功率密度军备竞赛:å•ä¸ªç –å—????樾枰涑10kW甚至更高,,体积å´è¢«æ»æ»é™åˆ¶åœ¨æ‰‹æŽŒå·¨ç»†ã€‚。。。
在这个环节,,英伟达走得最为激进,,已直接押注800VDC→50VDC蹊径,,从元器件è€åŽ‹åˆ°å®‰è§„è·ç¦»ï¼Œï¼Œæ‰€æœ‰ç•™è¶³ä½™é‡ï¼Œï¼Œä¸ºæœªæ¥çš„±800VDC系统æå‰é“ºè·¯ã€‚。。。相比之下,,Google的战略更为务实:接纳±400VDC的过渡方案,,使用两个并è”400V电æºçš„ä¸ç‚¹æŽ¥PEå°†æ£è´Ÿè½¨çš„电压应力å‡åŠï¼Œï¼Œå¯¹å™¨ä»¶è€åŽ‹å’Œå®‰è§„è·ç¦»çš„è¦æ±‚大幅é™ä½Žï¼Œï¼Œæ›´å®¹æ˜“åœ¨çŸæœŸå†…规模è½åœ°ã€‚。。。两æ¡è¹Šå¾„,,一个激进一个稳å¥ï¼Œï¼ŒèƒŒåŽæ˜¯æ•Œæ‰‹è‰ºæˆç†Ÿåº¦å’Œä¾›åº”链åœå½“度的差别判æ–。。。。
50Vä¸åŽ‹è¿›å…¥æœºæž¶åŽï¼Œï¼Œç”±IBC(ä¸å¿ƒæ€»çº¿è½¬æ¢å™¨ï¼‰è¿›ä¸€æ¥é™åŽ‹è‡³12V或6V,,直接供应GPU/TPU/NPU/CPUæ¿å¡ã€‚。。。这一级的è¦å®³è¯åªæœ‰ä¸€ä¸ªå—:大。。。。大电æµâ€”—NVIDIA H200å•å¡ç”µæµåŠ¨è¾„æ•°ç™¾å®‰åŸ¹ï¼Œï¼ŒIBC必需在巴掌大的????槟谘狈这股洪æµã€‚ã€‚ã€‚ã€‚è¡Œä¸šæ™®éæŽ¥çº³ç‰¢é å˜ä¾‹å¦‚案(如4:1或8:1)æ¥åŽ‹ç¼©ï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ¨˜å¯¤â‘»åµ˜ï¼Œï¼ŒåŒæ—¶é 多????椴⒘æ¶ç—”雀汉。。。。
è¿™å¯èƒ½æ˜¯ç›®ä»ŠAIDCä¾›ç”µé¢†åŸŸæœ€å€¼å¾—æŠ•èµ„è€…ç´§ç›¯çš„ä¸€å¼ ç‰Œã€‚ã€‚ã€‚ã€‚è‹±ä¼Ÿè¾¾æ£åœ¨æŽ¨åЍ䏀ç§å ªç§°"跳过一代"的方案——彻底祛除50Vä¸åŽ‹çº§ï¼Œï¼Œç›´æŽ¥å°†800VDCé™è‡³12VDCé€åˆ°XPUæ¿å¡ã€‚。。。
逻辑很是直白:æ¯ä¸€çº§è½¬æ¢å°±æ˜¯ä¸€çº§æ¶ˆè€—ã€ä¸€ç»„å‘çƒã€ä¸€å †ç©ºé—´å ç”¨ã€‚ã€‚ã€‚ï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿè½¦ç²¢æ‚£ï¼Œï¼Œå°±æ˜¯ç æŽ‰ä¸€ä¸ªæ•…éšœç‚¹åŠ ä¸€ä¸ªæ•ˆçŽ‡é»‘æ´žã€‚ã€‚ã€‚ã€‚ä½†ä»·é’±æ˜¯ä»€ä¹ˆï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿ800V到12Vçš„é™åŽ‹æ¯”é«˜è¾¾66:1——这是一次从高压直æµåˆ°ä½ŽåŽ‹å¤§ç”µæµçš„æžé™è·¨è¶Šï¼Œï¼Œå¯¹æ‹“扑立异ã€ç£ä»¶è®¾è®¡ã€æŽ§åˆ¶ç®—æ³•çš„è¦æ±‚是指数级æå‡çš„。。。。
若是这æ¡è·¯è¢«è‹±ä¼Ÿè¾¾å·¥ç¨‹åŒ–买通,,æ„å‘³ç€æ•´ä¸ªæœºæž¶çš„ä¸åŽ‹é…电层将被一笔勾销,,数æ®ä¸å¿ƒä¾›ç”µæ‹“扑将彻底é‡å†™ã€‚。。。虽然,,现实ä¸çš„英伟达并éžå¤æ³¨ä¸€æŽ·â€”—“两æ¡è…¿èµ°è·¯â€æ‰æ˜¯çœŸå®žçš„项目状æ€ï¼š800V→12Vå’Œ800V→50V两套方案并行推进,,最终哪æ¡è¹Šå¾„胜出,,谜底或许率会写在2027-2028年的规模;橹ãªå ‡ã€‚。。。
äº”ã€æœ€åŽä¸€è‹±å¯¸çš„æˆ˜äº‰ï¼šVPD与芯片集æˆIVR
电压从800V一起é™åˆ°12V,,看起æ¥å·²ç»å®Œæˆäº†"é•¿å¾"。。。。但真æ£çš„硬仗,,爆å‘åœ¨ç¦»èŠ¯ç‰‡ä»…å‡ åŽ˜ç±³çš„åœ°æ–¹ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚
夿¿æ–¹æ¡ˆï¼š12V或6V进入GPUæ¿å¡ï¼Œï¼Œç”±åå‡ ç”šè‡³å‡ å相分立Buck转æ¢å™¨ï¼ˆDrMOS+电感+ç”µå®¹é˜µåˆ—ï¼‰å°†ç”µåŽ‹è¿›ä¸€æ¥æ‹‰ä½Žè‡³ç„¦ç‚¹æ‰€éœ€çš„0.6-1.2V。。。。问题è—在物ç†è·ç¦»é‡Œâ€”—从æ¿å¡è¾¹æ²¿çš„电æºå…¥å£ï¼Œï¼Œåˆ°èŠ¯ç‰‡ä¸‹æ–¹å¯†å¦‚è››ç½‘çš„ä¾›ç”µç½‘ç»œï¼ˆPDN),,PCBé“œç®”èµ°çº¿å‡ åŽ˜ç±³çš„è·ç¦»å¼•入的寄生阻抗,,足以在瞬æ€ç”µæµè·³å˜æ—¶åˆ¶é€ 严é‡çš„IR压é™å’Œå“应延迟。。。。GPU频率越高ã€ç”µæµè½¬å˜è¶Šå¼ºçƒˆï¼Œï¼Œè¿™ä¸ª"最åŽä¸€è‹±å¯¸"的问题就越致命。。。。
VPD(Vertical Power Delivery,,笔直供电)的æ€ç»ªç²—暴而有用:ä¸å†æŠŠç”µæºæ”¾åœ¨æ¿å¡è¾¹æ²¿ï¼Œï¼Œè€Œæ˜¯ç›´æŽ¥ç½®äºŽXPU芯片的æ£ä¸‹æ–¹ï¼ˆæˆ–æ£ä¸Šæ–¹ï¼‰ï¼Œï¼Œé€šè¿‡ç¬”ç›´äº’è¿žç»“æž„å°†ä¾›ç”µè·¯å¾„ä»Žå‡ åæ¯«ç±³åŽ‹ç¼©åˆ°æˆ‹æˆ‹å‡ æ¯«ç±³ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚
· 供电回路电感æ–å´–å¼ä¸‹é™ï¼Œï¼Œçž¬æ€å“应能力呈数目级æå‡â€”—GPUçªå‘满载时,,电压ä¸ä¼šå…ˆ"跌一个å‘"冿‹‰å›žæ¥ï¼›ï¼›
· IR压é™å¤§å¹…收窄,,效率净æå‡1-2个百分点。。。。å¬èµ·æ¥æœªå‡ ????关于å•å¡åŠŸè€—1400Wçš„B300æ¥è¯´ï¼Œï¼Œ2%就是足足28W——çœä¸‹æ¥çš„䏿˜¯ç”µè´¹ï¼Œï¼Œæ˜¯ä»Žæ•£çƒç³»ç»Ÿé‡ŒæŠ¢å›žæ¥çš„çƒé¢„算。。。。
VPD解决的是"供电ä½ç½®"问题,,IVR(Integrated Voltage Regulator,,集æˆç¨³åŽ‹å™¨ï¼‰è§£å†³çš„æ˜¯"é›†æˆæ·±åº¦"问题——把最åŽä¸€çº§çš„é™åŽ‹åŠŸæ•ˆç›´æŽ¥åµŒå…¥åˆ°XPUå°è£…内部甚至Die上,,用硅基电感ã€ç‰‡ä¸Šç”µå®¹æ›¿æ¢ä¸€åˆ‡åˆ†ç«‹å™¨ä»¶ã€‚。。。
å¬ä¸ŠåŽ»åƒç§‘幻????Intel的数æ®ä¸å¿ƒCPUå·²ç»é‡äº§æè½½FIVR(全集æˆç”µåŽ‹è°ƒç†å™¨ï¼‰ï¼›ï¼›å°ç§¯ç”µçš„CoWoS先进å°è£…,,使得在GPUå°è£…基æ¿å†…嵌入部分供电功效æˆä¸ºå¯å·¥ç¨‹åŒ–的选项。。。。VPD+IVRçš„ç»„åˆæ‹³ï¼Œï¼Œå®žè´¨ä¸Šæ˜¯å°†ä¾›ç”µç½‘络从"æ¿çº§"往下压缩到"å°è£…级"å†åŽ‹ç¼©åˆ°"芯片级"ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚è¿™å…³äºŽå¤æ¿åˆ†ç«‹ç”µæºå™¨ä»¶ä¾›åº”商是一é“å‡›å†½çš„å¯’é£Žå¹æ¥ï¼Œï¼Œä½†å…³äºŽå…ˆè¿›å°è£…å’Œç¡…åŸºæ— æºå™¨ä»¶çš„玩家,,则是一扇æ£åœ¨è¢«æ’žå¼€çš„万亿级新大门。。。。
å…ã€å››æ¡æ‰‹è‰ºè½´çº¿æ£åœ¨åŒæ¥å…±æŒ¯
AIDC供电架构的演å˜ä¸æ˜¯å•点çªç ´ï¼Œï¼Œè€Œæ˜¯å››æ¡æ‰‹è‰ºè½´çº¿åœ¨ç»Ÿä¸€æ—¶é—´çª—å£å†…å½¢æˆå…±æŒ¯ã€‚。。。明确这ç§å…±æŒ¯ï¼Œï¼Œæ‰åŽçœ‹æ¸…投资时机的时间梯度。。。。
高压化:从ä¸ä½ŽåŽ‹äº¤æµåˆ°800V/1000V高压直æµï¼Œï¼Œç”µåŽ‹å“级数å倿”€å‡ï¼Œï¼Œæ¢æ¥çš„æ˜¯é“œæç”¨é‡æ–å´–å¼é•Œæ±°ã€ä¼ 输消耗数目级下é™ã€ä»¥åŠç³»ç»Ÿæ‹“扑的大幅简化。。。。800V䏿˜¯ç»ˆç‚¹ï¼Œï¼ŒÂ±1000V已在视野之内。。。。
ç›´æµåŒ–:从"AC-DC-AC-DC"的多次é‡å¤è½¬æ¢ï¼Œï¼Œåˆ°"AC-DC"一次到ä½åŽå…¨é“¾è·¯ç›´æµé…é€ã€‚。。。æ¯ç¥›é™¤ä¸€æ®µäº¤æµï¼Œï¼Œå°±ç¥›é™¤ä¸€ç»„æ•´æµæ¶ˆè€—ã€ä¸€ç»„æ— åŠŸçŽ¯æµã€ä¸€ç»„EMI滤波器。。。。当数æ®ä¸å¿ƒå†…部彻底离别交æµç”µï¼Œï¼Œä¾›ç”µæ•ˆçŽ‡çš„å¤©èŠ±æ¿å°†è¢«æ•´ä½“抬高。。。。
高密化:功率密度从100W/in?å‘180W/in?+冲刺。。。。SiCå’ŒGaNå™¨ä»¶é—ªå¼€å…³é¢‘çŽ‡ä»Žå‡ åkHz跃入数百kHzï¼Œï¼Œç£æ€§å…ƒä»¶ä½“积éšä¹‹éª¤ç¼©â€”—高频化是高密化的唯一物ç†é€šé“。。。。
智能化:AI算法最先åå‘èµ‹èƒ½ç”µæºæ²»ç†ï¼šåЍæ€è´Ÿè½½å±•望æå‰è°ƒé…功率资æºï¼Œï¼Œæ™ºèƒ½å‰Šå³°å¡«è°·å¹³æ»‘çž¬æ€æ”»å‡»ï¼Œï¼Œæ•…障预判把被动抢修å˜ä¸ºè‡ªåŠ¨é¢„é˜²ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚ç”µæºä¸å†æ˜¯"傻供电",,而是一个嵌入能æºå¤§è„‘的智能节点。。。。
è¦å®³èŠ‚ç‚¹ï¼š800V HVDC架构预计2027年进入大规模安排,,这将æˆä¸ºæ•´ä¸ªå·¥ä¸šé“¾ä»Ž"试水"到"放é‡"的分水å²ã€‚。。。
ä¸ƒã€æ•£çƒï¼šåŠŸçŽ‡å¯†åº¦å¼•çˆ†çš„"çƒå¤©èбæ¿"
当功率密度一连å‘180W/in?迫近,,散çƒä¸å†æ˜¯é…角,,而是决议方案生æ»çš„硬约æŸã€‚。。。液冷已ç»ä»Ž"锦上添花"é…¿æˆäº†"没有ä¸å¯"。。。。
高功率液冷电æºï¼šç”µæºï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ¨½é™¨è‚€åŒ¦æžé‚®èŠ¤è±ªï¼Œï¼Œä¸ŽæœºæŸœçš„CDU和液冷管路一体化设计。。。。"风冷电æº+液冷芯片"çš„åˆ†ä½“æ¨¡å¼æ£åœ¨è¢«å½»åº•扬弃,,走å‘"全链路液冷"——从æ¯çº¿åˆ°èŠ¯ç‰‡ï¼Œï¼Œæ¯ä¸€ä¸ªå‘çƒçŽ¯èŠ‚éƒ½è¢«æ¶²ä½“æŽ¥å—。。。。
å¾®æµä½“冷å´ï¼šä½¿ç”¨å¾®ç±³çº§é€šé“将冷崿¶²å‡†ç¡®è¿é€è‡³èŠ¯ç‰‡å¤–è²Œï¼Œï¼Œå®žçŽ°å†·å´ä»‹è´¨ä¸Žå‘çƒç‚¹çš„"é›¶è·ç¦»"çƒäº¤æµã€‚。。。实质上,,这是在å°è£…内部构建一个微缩版的散çƒç½‘络——当å®è§‚æ ‡å‡†çš„æ¶²å†·è¿«è¿‘æžé™ï¼Œï¼Œå¾®è§‚æ ‡å‡†çš„æµä½“æ²»ç†å°±æ˜¯ä¸‹ä¸€ä¸ªæˆ˜åœºã€‚。。。
瞬æ€åŠŸçŽ‡æ²»ç†ï¼šAIè®ç»ƒå’ŒæŽ¨ç†çš„功耗曲线æžå…¶"神ç»è´¨"â€”â€”æ¯«ç§’çº§å†…ä»Žæ€ é€Ÿè·³åˆ°æ»¡è½½å†è·³å›žæ¥ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚å¤æ¿ç”µæºçš„"æ’压硬扛"模å¼åœ¨è¿™ç§é«˜é¢‘å¼ºçƒˆæ³¢åŠ¨ä¸‹æ•ˆçŽ‡å´©å¡Œã€‚ã€‚ã€‚ã€‚ä¸€ç§æ–°æ€ç»ªæ£åœ¨å…´èµ·ï¼šç”¨Nyoboltç”µæ± ç³»ç»Ÿï¼ˆèƒ½é‡å¯†åº¦æ˜¯è¶…ç‰ç”µå®¹çš„20å€ï¼Œï¼Œå¾ªçŽ¯å¯¿å‘½è¶…ç™¾ä¸‡æ¬¡ï¼‰å’ŒEPIC削峰填谷????椋ǚ逯40kW@200ms),,在电æºå’ŒGPU之间æ’å…¥"电化å¦ç¼“冲层"ï¼Œï¼Œç”¨å‚¨èƒ½å¸æ”¶çž¬æ€å°–å³°ã€å¡«è¡¥çž¬æ€è°·åº•,,让主电æºå§‹ç»ˆè¿è¡Œåœ¨å¹³ç¨³çš„å¹³å‡åŠŸçŽ‡ç‚¹ä¸Šã€‚ã€‚ã€‚ã€‚â€”â€”è¿™ä¸ä½†æ˜¯ä¾›ç”µé—®é¢˜ï¼Œï¼Œè¿™å®žè´¨ä¸Šæ˜¯åœ¨GPUä¾§åš"电力套利"。。。。
å…«ã€å·¥ä¸šé“¾æŠ•资地图:è°åœ¨"电力高速公路"上设收费站????
AIDC供电架构的范å¼é©å‘½ï¼Œï¼Œå®žè´¨æ˜¯æŠŠæ•°æ®ä¸å¿ƒä»Ž"电网的最åŽè´Ÿè·"å‡çº§ä¸º"能æºç½‘络的焦点节点"。。。。æ¯ä¸€æ¬¡è½¬æ¢ã€æ¯ä¸€ä¸ªå™¨ä»¶ã€æ¯ä¸€ç§è´¨æ–™ï¼Œï¼Œéƒ½æ˜¯è¿™æ¡é«˜é€Ÿå…¬è·¯ä¸Šçš„æ”¶è´¹ç«™â€”—并且一旦铺开,,æ¢ä¸æŽ‰çš„。。。。以下按工业链环节é€ä¸€æ¢³ç†ã€‚。。。
在800V/1000Vé«˜åŽ‹åœºæ™¯ä¸‹ï¼Œï¼Œå¤æ¿ç¡…基IGBTå’ŒMOSFETçš„å¼€å…³æ¶ˆè€—å’Œå¯¼é€šæ¶ˆè€—å·²æ— æ³•æŽ¥å—。。。。SiC MOSFETå’ŒGaN HEMT䏿˜¯"更好的选择",,而是"唯一的选择"。。。。从衬底到外延到器件到????,,海内工业链æ£åœ¨åŠ é€Ÿé—环。。。。
高压大电æµåœºæ™¯å¯¹PCBçš„è¦è°´è´£é¢å‡çº§ï¼šæ›´é«˜è€åŽ‹ã€æ›´åŽšé“œç®”ã€æ›´ä¼˜æ•£çƒã€‚。。。HVDC电æºï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ¥¹é€å“笵CDC转æ¢å™¨çš„PCB从"é…è§’"é…¿æˆäº†"è¦å®³å™¨ä»¶"。。。。
800V→50Vçš„é«˜åŽ‹ç –å—DCDC????æ§é’¦é»¾èŠ„æ€ªå‡¶ç•ˆè±¢å•†å©Šå"电力路由器"。。。。50V→12V/6Vçš„IBCã€ä»¥åŠæ¿çº§å¤šç›¸ç”µæºåŒæ ·æ˜¯ç¡®å®šæ€§çš„增é‡å¸‚场。。。。这一环节å£åž’æœ€é«˜ã€æ¯›åˆ©çŽ‡æœ€åŽšã€å›½äº§æ›¿æ¢ç©ºé—´æœ€å¤§ã€‚。。。
高频化ã€å¤§ç”µæµåŒ–对被动元器件的è€åŽ‹ã€æ¸©åº¦ç‰¹å¾ã€é¢‘率å“应æå‡ºäº†è‹›åˆ»è¦æ±‚。。。。LLCè°æŒ¯ç”µå®¹ã€é«˜åŽ‹MLCC滤波电容ã€é«˜é¢‘大电æµåŠŸçŽ‡ç”µæ„Ÿâ€”â€”å•å°AIæœåŠ¡å™¨çš„ç”¨é‡æ˜¯å¤æ¿æœåŠ¡å™¨çš„5-10å€ã€‚。。。
电æºï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ©è±ªæµ 侨范ã„郧é‡å•¤æƒ«Î²æ‹èŠæ”˜æ“è½æŽ£é²¢å…„ï¼Œï¼Œé£Žå†·çš„ç‰©ç†æžé™å°±è¢«é”æ»äº†ã€‚。。。冷æ¿ã€CDUã€æ¶²å†·ç®¡è·¯ï¼Œï¼Œä»¥åŠæ›´è¿œçš„å¾®æµä½“芯片级散çƒï¼Œï¼Œç»„æˆäº†ä¸€æ¡ä¸ŽåŠŸçŽ‡å¯†åº¦æ£ç›¸å…³çš„"å½±åèµ›é“"。。。。
VPDå’ŒIVR从实验室走å‘产线,,焦点瓶颈ä¸åœ¨ç”µè·¯è®¾è®¡ï¼Œï¼Œåœ¨å°è£…。。。。å°ç§¯ç”µCoWoSã€Intel EMIBç‰2.5D/3Då°è£…手艺,,以åŠç¡…电容ã€ç¡…基电感ç‰å¼‚è´¨é›†æˆæ— æºå™¨ä»¶ï¼Œï¼Œæ˜¯èŠ¯ç‰‡çº§ä¾›ç”µè½åœ°çš„先决æ¡ä»¶ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚æŠ•èµ„è¿™ä¸€çŽ¯èŠ‚éœ€è¦æ›´é•¿çš„è€å¿ƒï¼Œï¼Œä½†å¤©èбæ¿ä¹Ÿæœ€é«˜ã€‚。。。
ä¹ã€æŠ•资时钟:别åªçœ‹åå‘,,更è¦çœ‹èŠ‚å¥
AIDC供电架构的演进是一场å年为å•ä½çš„长期战。。。。差别的工业环节,,è½åœ°èŠ‚å¥å·®ç€å¥½å‡ 年。。。。在准确的时间买准确的环节,,比在任何时间买所有环节,,回报å¯èƒ½å·®ä¸€ä¸ªæ•°ç›®çº§ã€‚。。。
焦点å—益:高压DCDCç –å—电æºã€SiC功率器件ã€HVDCé…电装备ã€PCBåŠé“œæã€‚。。。 800V HVDC釿–°éƒ¨CSP的试点项目走å‘规模安排,,装备采è´è¿›å…¥ç¬¬ä¸€æ³¢æ”¾é‡æœŸã€‚。。。这一阶段是"è°æœ‰äº§èƒ½è°èµ¢"的供应驱动行情。。。。
焦点å—益:VPD电æºï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿï¼Ÿæ¤¤â’嘞郉rMOSã€é«˜é¢‘MLCCã€é«˜é¢‘ç”µæ„Ÿã€æ¶²å†·æ•£çƒã€‚。。。 GPUåŠŸè€—ç»§ç»æ”€å‡ï¼Œï¼Œæ¿ä¸Šä¾›ç”µç”µåŽ‹ä»Ž12Vå‘6V过渡,,VPD从旗舰GPUå‘全系列渗é€ã€‚。。。液冷从机柜级下沉到????榧,,散çƒå·¥ä¸šé“¾çš„价值é‡è¢«é‡æ–°å®šä»·ã€‚。。。
焦点å—益:先进å°è£…ã€ç¡…åŸºæ— æºå™¨ä»¶ã€å¾®æµä½“冷å´ã€èŠ¯ç‰‡çº§IVR。。。。供电功效深度嵌入芯片å°è£…——这å¯èƒ½æ˜¯å¯¹å¤æ¿åˆ†ç«‹ç”µæºå·¥ä¸šé“¾æœ€å½»åº•的一次"åˆ›ç«‹æ€§ç ´æŸ"。。。。投资人需è¦åŒæ—¶å…³æ³¨ï¼šè°åœ¨å—益,,以åŠè°åœ¨è¢«å€¾è¦†ã€‚。。。
片尾è¯ï¼šç”µåŠ›ä¹Ÿæœ‰è‡ªå·±çš„"摩尔定律"
已往二å年,,所有人都在谈论芯片的摩尔定律——晶体管密度æ¯18-24个月翻一番。。。。但在èšå…‰ç¯ä¹‹å¤–ï¼Œï¼Œé©±åŠ¨è¿™äº›æ™¶ä½“ç®¡çš„ç”µåŠ›ç³»ç»Ÿä¹Ÿåœ¨æ‚„æ— å£°æ¯åœ°éµç…§è‡ªå·±çš„æŒ‡æ•°æ›²çº¿ï¼šç”µåŽ‹å“级é€å¹´æ”€å‡ï¼Œï¼Œè½¬æ¢æ•ˆçŽ‡æ— é™è¿«è¿‘ç‰©ç†æžé™ï¼Œï¼ŒåŠŸçŽ‡å¯†åº¦ä»¥å¹´åŒ–15-20%的速率膨胀。。。。
从交æµåˆ°ç›´æµï¼Œï¼Œä»Žä¸ä½ŽåŽ‹åˆ°800V高压,,从机架内的分立电æºåˆ°èŠ¯ç‰‡å†…éƒ¨çš„é›†æˆç¨³åŽ‹å™¨â€”â€”AIDC供电架构的æ¯ä¸€æ¬¡è·ƒè¿ï¼Œï¼Œå®žè´¨ä¸Šéƒ½æ˜¯åœ¨é‡Šæ”¾è¢«ç”µèƒ½è½¬æ¢æ¶ˆè€—锿»çš„那部分算力。。。。
关于身处其ä¸çš„创业公å¸å’ŒæŠ•èµ„äººï¼Œï¼Œè¿™ä¸æ˜¯ä¸€ä¸ªå…³äºŽ"电æº"的窄众故事。。。。这是一场关乎AIåŸºç¡€è®¾æ–½åº•åº§çš„é‡æž„ï¼Œï¼Œä¸€å¼ æ£åœ¨å¾å¾ç开的åƒäº¿çº§å·¥ä¸šé“¾æŠ•èµ„åœ°å›¾â€”â€”è€Œåœ°å›¾ä¸Šçš„è·¯æ ‡ï¼Œï¼Œæ£æŒ‡å‘高压ã€ç›´æµã€é«˜å¯†åº¦ã€èŠ¯ç‰‡çº§é›†æˆçš„统一åå‘。。。。
ã€å…责声明】本文仅供信æ¯å‚è€ƒä¸Žè¡Œä¸šç ”ç©¶ï¼Œï¼Œä¸ç»„æˆä»»ä½•æŠ•èµ„å»ºè®®ã€‚ã€‚ã€‚ã€‚æ–‡ä¸æ¶‰åŠçš„上市公å¸ä¿¡æ¯æ³‰æºäºŽæžœçœŸèµ„料,,投资者应自力判æ–并肩负投资风险。。。。
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