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泉æºï¼šè·å…°å†›èˆ°è¿‡èˆªå°æµ·é‡Šæ”¾ä»€ä¹ˆä¿¡å·ä½œè€…: 洪伟文:

AIæ•°æ®ä¸­å¿ƒä¾›ç”µæž¶æž„的范å¼é©å‘½â€”当800V高压直æµé‡ä¸Šä¸‡äº¿å‚数大模å­,ï¼Œè°æ˜¯å·¥ä¸šé“¾çš„éšå½¢å† å†›????

æ–‡ | 邱剿´²èŠAIDC电æº????

ã€å¯¼è¯­ã€‘

上一篇文章我们探讨了AI芯片的电力é©å‘½,,这场电力é©å‘½æ˜¯å…³äºŽAI芯片(GPU, TPUç­‰)æ¿å¡ä¸Šæœ€åŽæ•°å毫米到数毫米的供电手艺和产å“,ï¼Œæœ¬æ–‡æˆ‘ä»¬è¦æŽ¢è®¨çš„æ˜¯ä»Žéƒ½ä¼šçš„ä¸­åŽ‹å˜ç”µç«™æˆ–者大型数æ®ä¸­å¿ƒçš„中压å˜ç”µç«™ï¼ˆ10ï¼35KV AC)到数æ®ä¸­å¿ƒæœºæŸœå†…çš„AI芯片全栈供电架构的范å¼é©å‘½。。。。

2026å¹´,,英伟达B300系列GPUå•å¡åŠŸè€—çªç ´1400W,,一个满载的NVL144机柜功耗已迫近1000kW——这相当于1500个通俗家庭的用电总和。。。。

在AI算力以指数级膨胀的背åŽ,,一场é™é»˜å´å†³ç»çš„供电架构é©å‘½æ­£åœ¨æ¯ä¸€ä¸ªæ•°æ®ä¸­å¿ƒå†…部é…é…¿。。。。交æµç”µç»Ÿæ²»äº†ç”µç½‘一百多年,,但今天,,它正在被"赶出"æ•°æ®ä¸­å¿ƒ。。。。从中低压到800V高压,,从分立电æº????榈å«é…’都晌妊蛊鳌ç¬Â±ç”¯é”闹站,,指å‘ä¸€ä¸ªå‰æ‰€æœªè§çš„天下:端到端的全直æµä¾›ç”µç³»ç»Ÿ。。。。

è¿™ä¸ä½†æ˜¯å·¥ç¨‹æ‰‹è‰ºçš„æ¼”è¿›,,更是一张正在å¾å¾ç开的价值数åƒäº¿çš„工业链投资地图。。。。

一ã€ç®—力狂奔倒逼供电é©å‘½ï¼šæœºæž¶åŠŸçŽ‡å¯†åº¦çš„æŒ‡æ•°çº§è·ƒè¿

若是è¦ç”¨ä¸€ä¸ªè¯æ¦‚括AIæ•°æ®ä¸­å¿ƒå·²å¾€å年的转å˜,,那就是"密度"——算力密度ã€çƒ­å¯†åº¦ã€ä»¥åŠæœ€å®¹æ˜“被忽视的功率密度。。。。

åå¹´å‰,,一个标准机架的功耗ä¸è¿‡5-10kW。。。。一å°2UæœåŠ¡å™¨å¡žä¸¤é¢—è‡³å¼ºCPUã€å‡ å—硬盘,,功耗控制在几百瓦,,风冷绰绰有余。。。。那时,,交æµä¾›ç”µç³»ç»Ÿï¼ˆAC UPS + 逿œºAC/DC PSU)是行业标é…â€”â€”æ•ˆçŽ‡å·®å‡ ä¸ªç™¾åˆ†ç‚¹ä¸æ˜¯å¤§äº‹,,由于总功耗基数太å°,,çœä¸‹æ¥çš„ç”µè´¹è¿˜ä¸æ•·ä¹°ä¸€å¥—新装备。。。。

AI的泛起让这个"æ¬é™åŒº"瞬间崩塌。。。。

目今最新一代AIæœåŠ¡å™¨ç”µæºçš„åŠŸçŽ‡å¯†åº¦å·²ç»æŠµè¾¾100W/in?,,未æ¥å°†çªç ´180W/in?。。。ã€‚å•æœºæž¶åŠŸè€—ä»Žå几kW一起飙å‡è‡³100kW+,ï¼Œå¤æ¿çš„"ä½ŽåŽ‹äº¤æµæ¼«è¡å¼"架构袒露了致命缺陷:æ¯ä¸€çº§AC/DC转æ¢éƒ½åœ¨å‘热,,铜排截é¢ç§¯éšç”µæµå¹³æ–¹æš´æ¶¨,,机架内部空间被电æº????楹蜕⑷认低åµç¼˜é¡æ¡“啥净——留给GPU算力的空间å而越æ¥è¶Šå°。。。。

正如Google在APEC 2025上展示的蹊径图:供电架构正在履历一场从"ä½ŽåŽ‹äº¤æµæ¼«è¡å¼"å‘"高压直æµé›†ä¸­å¼"的根天性转å˜。。。。这ç»ä¸æ˜¯ä¿®ä¿®è¡¥è¡¥,,而是一次彻底的范å¼é©å‘½。。。。

英伟达 GPU芯片功率演进蹊径图

英伟达Kyber AIæ•°æ®ä¸­å¿ƒæŠ˜åС噍

二ã€HVDC 800Vï¼šä¸ºä»€ä¹ˆé«˜åŽ‹ç›´æµæ˜¯ç»ˆå±€è°œåº•????

从中压å˜ç”µç«™åˆ°AI GPU芯片的直æµä¾›ç”µé“¾è·¯

HVDC(高压直æµä¾›ç”µï¼‰å¹¶éžæ–°çœ‹æ³•,,通讯基站里48Vç›´æµä¾›ç”µç”¨äº†è®¸å¤šå¹´。。。。但在AIæ•°æ®ä¸­å¿ƒè¿™ä¸ªåŠŸè€—æ€ªå…½çœ¼å‰,,800V高压直æµçš„ç»æµŽæ€§å’Œæ‰‹è‰ºä¼˜åŠ¿è¢«æ”¾å¤§åˆ°äº†å ªç§°"暴力"的水平。。。。

OCP 2025的数æ®å¾ˆç›´ç™½ï¼šHVDC 800V供电架构å¯å°†ç«¯åˆ°ç«¯èƒ½æ•ˆæå‡5个百分点。。。ã€‚åœ¨å•æœºæž¶100kW+的功耗体é‡ä¸‹,,5%æ„å‘³ç€æ¯ä¸ªæœºæž¶æ¯å¹´çœä¸‹çš„电费就足以笼罩HVDC装备的全生命周期本钱。。。。更è¦å®³çš„æ˜¯,ï¼Œé«˜åŽ‹ç›´æµæž¶æž„自然简化了系统拓扑——故障率显著下é™,,维护本钱é”å‡70%。。。ã€‚æœ€ç›´æŽ¥çš„ç»æµŽè´¦æ˜¯ï¼šæœºæž¶å†…ä¸å†éœ€è¦é€ä¸ªè®¾ç½®AC/DC PSU,,CAPEXå’ŒOPEXåŒåŒè·³æ°´。。。。

有一组数字容易被投资人忽略,,但在工程层é¢å ªç§°é™ç»´æ”»å‡»ï¼š

· ±400V HVDC vs 夿¿Â±48V:铜用é‡é•Œæ±°70%

· ±800V HVDC vs 夿¿Â±48V:铜用é‡é•Œæ±°80%

· ±1000V HVDC vs 夿¿Â±48V:铜用é‡é•Œæ±°84%

在铜价居高ä¸ä¸‹çš„今天,,80%的铜æèŠ‚çº¦æ„味ç€ç‰©æ–™æœ¬é’±æ–­å´–å¼ä¸‹é™â€”â€”ä¸æ˜¯é™å‡ ä¸ªç‚¹,ï¼Œæ˜¯ç æŽ‰æ³°åŠ。。。ã€‚ä¸Žæ­¤åŒæ—¶,ï¼Œæ¼«è¡æ¶ˆè€—从±48Væ—¶çš„3.2%骤é™è‡³Â±1000Væ—¶çš„0.25%,,é è¿‘一个数目级的跨越。。。。用更少的铜,,传输更多的功率,,消耗还更å°â€”—高压直æµçš„三é‡ç›ˆåˆ©,,在物ç†å®šå¾‹å±‚颿˜¯æ— è§£çš„。。。。

æ®QYResearchåŠæžœçœŸæ•°æ®,,全çƒAIDC HVDC市场正站在爆å‘å‰å¤œ。。。。800V架构预计2027年进入大规模安排,,届时HVDC电æºç³»ç»Ÿã€é«˜åŽ‹DC/DC转æ¢????椤â’烫溲蛊鳎⊿ST)等è¦å®³è£…备将修建一个年增é‡è¶…百亿美金的增é‡å¸‚场。。。。值得强调的是,,这ä¸ä½†æ˜¯æ–°å¢žè£…机,,更是一次存é‡çš„周全替æ¢â€”—现有数æ®ä¸­å¿ƒçš„交æµä¾›ç”µç³»ç»Ÿ,,在未æ¥åå¹´å°†è¢«é€æ­¥ç¿»æ–°ä¸ºç›´æµæž¶æž„。。。。

三ã€ç«¯åˆ°ç«¯å…¨ç›´æµï¼šé‡æ–°æƒ³è±¡ç”µç½‘与数æ®ä¸­å¿ƒçš„界线

若是HVDC 800V是数æ®ä¸­å¿ƒä¾›ç”µçš„"自动脉",ï¼Œé‚£ä¹ˆå…¨ç›´æµæž¶æž„就是让æ¯ä¸€ä¸ª"器官"都讲统一ç§è¯­è¨€。。。。

夿¿æ•°æ®ä¸­å¿ƒçš„供电链路堪称冗长:中压交æµç”µç½‘(10-35kV AC)进站åŽ,,è¦ç»ç”±å·¥é¢‘å˜åŽ‹å™¨â†’ä½ŽåŽ‹é…电→UPS→AC/DC PSU这一长串环节,,至少3-4级AC/DC转æ¢,,æ¯ä¸€çº§éƒ½æ˜¯æ•ˆçŽ‡çš„"收费站"。。。。

SST固æ€å˜åŽ‹å™¨çš„æ³›èµ·,,让这一切å¯ä»¥æµ“缩为一步。。。。;赟iC/GaNå“级三代åŠå¯¼ä½“器件的高频开关手艺,,SSTå¯ä»¥ç›´æŽ¥å°†æ•°ååƒä¼çš„中压交æµç”µä¸€æ­¥è½¬æ¢ä¸º800Vç›´æµç”µ。。。ã€‚ç›¸æ¯”å¤æ¿å·¥é¢‘å˜åŽ‹å™¨â€”â€”é‚£ç§é‡è¾¾æ•°å¨ã€å—¡å—¡ä½œå“çš„é“芯铜线巨兽——SST的体积缩å°80%以上,,效率å¯è¾¾98%+,,并且自然支æŒåŒå‘功率æµåŠ¨å’Œæ™ºèƒ½ç”µç½‘è°ƒç†。。。ã€‚è¿™ä¸æ˜¯"改善",,是把整个å˜ç”µç«™è£…进了一个柜å­。。。。

800Vç›´æµæ¯çº¿ä¸€æ—¦å»ºè®¾,,一个更弘大的图景éšä¹‹ç开——新能æºçš„æŽ¥å…¥å˜å¾—出奇简朴:

å…‰ä¼å‘电:光ä¼ç»„件输出的本就是直æµç”µ。。。。通过DC/DCå˜æ¢å™¨ç›´æŽ¥æ±‡å…¥800Væ¯çº¿,,çœå޻逆å˜å™¨çŽ¯èŠ‚,,效率白白多出3-5个百分点。。。。

储能系统:锂电池储能系统的直æµè¾“出与800Vç›´æµæ¯çº¿è‡ªç„¶äº²å’Œ,,无需交æµè€¦åˆè½¬æ¢,,充放电效率更高,,å“应速率更快。。。ã€‚åœ¨ç”µç½‘å³°è°·ä»·å·®æ‹‰å¤§çš„é…æ™¯ä¸‹,ï¼Œå‚¨èƒ½çš„ç»æµŽæ€§è¿›ä¸€æ­¥å‡¸æ˜¾。。。。

风力å‘电:风机输出虽为交æµ,,但ç»ç”±AC/DCæ•´æµåŽå³å¯å¹³æ»‘接入800Væ¯çº¿,ï¼Œæ¯”å¤æ¿å¹¶ç½‘方案精练得多。。。。

最终,,AIæ•°æ®ä¸­å¿ƒå°†ä¸å†æ˜¯ç”µç½‘末梢的被动负è·,,而是一个"æºç½‘è·å‚¨"ååŒçš„能æºå¾®ç½‘节点——白天光ä¼ç›´é©±,,夜间储能接力,ï¼Œé£Žç”µéšæ—¶è¡¥ä½,,电网仅作åŽå¤‡。。。。这套架构在"东数西算"å’Œ"绿电+算力"çš„åŒé‡å›½å®¶æˆ˜ç•¥ä¸‹,,政策适é…度拉满,,碳排放核算上也å å°½å…ˆæœº。。。。

å››ã€800V→50V→1V:数æ®ä¸­å¿ƒçš„电力"物æµ"究竟有多é‡å¤§????

把800Vç›´æµæ¯çº¿çœ‹ä½œæ•°æ®ä¸­å¿ƒçš„"特高压主干网",,那么æ¯ä¸€çº§DCDC转æ¢å°±æ˜¯"都会é…电网"加"入户最åŽä¸€å…¬é‡Œ"。。。。这æ¡é“¾è·¯çš„æ•ˆçއ,,决议了GPU焦点收到的æ¯ä¸€ç“¦ç”µ,,沿途被"é›è¿‡æ‹”毛"了几多次。。。。

AIæ•°æ®ä¸­å¿ƒæŠ˜åС噍

800V高压直æµé¦–å…ˆç»ç”±éš”离型DCDC转æ¢å™¨é™è‡³50Vå·¦å³çš„中压直æµ。。。。这一级是整个链æ¡ä¸­æœ€é è¿‘"å±é™©åŒº"的环节,,手艺挑战层层å åŠ ï¼š

· 800V的超高输入电压,ï¼Œç›´æŽ¥ç­›æŽ‰äº†æ‰€æœ‰ç¡…åŸºå™¨ä»¶â€”â€”åªæœ‰SiC MOSFET(1200V/1700Vè€åŽ‹å“级)扛得。。。。ï¼›

· 16:1的高é™åŽ‹æ¯”è¦æ±‚拓扑设计精妙,,LLCè°æŒ¯ã€ç§»ç›¸å…¨æ¡¥ç­‰è½¯å¼€å…³æ–¹æ¡ˆæ˜¯ä¸»æˆ˜åœº,ï¼Œæ•ˆçŽ‡æ¯æé«˜0.5%都是硬仗;ï¼›

· 清é™éš”离是刚需,,å˜åŽ‹å™¨çš„è®¾è®¡ç›´æŽ¥å°æ­»äº†æ•ˆçŽ‡å’ŒåŠŸçŽ‡å¯†åº¦çš„å¤©èŠ±æ¿ï¼›ï¼›

· 功率密度军备竞赛:å•个砖å—????樾枰涑10kW甚至更高,,体积å´è¢«æ­»æ­»é™åˆ¶åœ¨æ‰‹æŽŒå·¨ç»†。。。。

在这个环节,,英伟达走得最为激进,,已直接押注800VDC→50VDC蹊径,,从元器件è€åŽ‹åˆ°å®‰è§„è·ç¦»,,所有留足余é‡,,为未æ¥çš„±800VDC系统æå‰é“ºè·¯。。。。相比之下,,Google的战略更为务实:接纳±400VDC的过渡方案,,使用两个并è”400V电æºçš„中点接PE将正负轨的电压应力å‡åŠ,,对器件è€åŽ‹å’Œå®‰è§„è·ç¦»çš„è¦æ±‚大幅é™ä½Ž,,更容易在短期内规模è½åœ°。。。。两æ¡è¹Šå¾„,,一个激进一个稳å¥,ï¼ŒèƒŒåŽæ˜¯æ•Œæ‰‹è‰ºæˆç†Ÿåº¦å’Œä¾›åº”链åœå½“度的差别判断。。。。

50V中压进入机架åŽ,,由IBC(中心总线转æ¢å™¨ï¼‰è¿›ä¸€æ­¥é™åŽ‹è‡³12V或6V,,直接供应GPU/TPU/NPU/CPUæ¿å¡。。。。这一级的è¦å®³è¯åªæœ‰ä¸€ä¸ªå­—:大。。。。大电æµâ€”—NVIDIA H200å•å¡ç”µæµåŠ¨è¾„æ•°ç™¾å®‰åŸ¹,,IBC必需在巴掌大的????槟谘狈这股洪æµ。。。ã€‚è¡Œä¸šæ™®éæŽ¥çº³ç‰¢é å˜ä¾‹å¦‚案(如4:1或8:1)æ¥åŽ‹ç¼©????樘寤⑻嵘,ï¼ŒåŒæ—¶é å¤š????椴⒘æ¶ç—”雀汉。。。。

è¿™å¯èƒ½æ˜¯ç›®ä»ŠAIDC供电领域最值得投资者紧盯的一张牌。。。。英伟达正在推动一ç§å ªç§°"跳过一代"的方案——彻底祛除50V中压级,,直接将800VDCé™è‡³12VDCé€åˆ°XPUæ¿å¡。。。。

逻辑很是直白:æ¯ä¸€çº§è½¬æ¢å°±æ˜¯ä¸€çº§æ¶ˆè€—ã€ä¸€ç»„å‘热ã€ä¸€å †ç©ºé—´å ç”¨。。。????车粢患,ï¼Œå°±æ˜¯ç æŽ‰ä¸€ä¸ªæ•…éšœç‚¹åŠ ä¸€ä¸ªæ•ˆçŽ‡é»‘æ´ž。。。。但价钱是什么????800V到12Vçš„é™åŽ‹æ¯”é«˜è¾¾66:1——这是一次从高压直æµåˆ°ä½ŽåŽ‹å¤§ç”µæµçš„æžé™è·¨è¶Š,,对拓扑立异ã€ç£ä»¶è®¾è®¡ã€æŽ§åˆ¶ç®—æ³•çš„è¦æ±‚是指数级æå‡çš„。。。。

若是这æ¡è·¯è¢«è‹±ä¼Ÿè¾¾å·¥ç¨‹åŒ–买通,,æ„å‘³ç€æ•´ä¸ªæœºæž¶çš„中压é…电层将被一笔勾销,,数æ®ä¸­å¿ƒä¾›ç”µæ‹“扑将彻底é‡å†™。。。。虽然,,现实中的英伟达并éžå­¤æ³¨ä¸€æŽ·â€”—“两æ¡è…¿èµ°è·¯â€æ‰æ˜¯çœŸå®žçš„项目状æ€ï¼š800V→12Vå’Œ800V→50V两套方案并行推进,,最终哪æ¡è¹Šå¾„胜出,,谜底或许率会写在2027-2028年的规模;橹ãªå ‡。。。。

äº”ã€æœ€åŽä¸€è‹±å¯¸çš„æˆ˜äº‰ï¼šVPD与芯片集æˆIVR

电压从800V一起é™åˆ°12V,,看起æ¥å·²ç»å®Œæˆäº†"é•¿å¾"。。。。但真正的硬仗,,爆å‘在离芯片仅几厘米的地方。。。。

夿¿æ–¹æ¡ˆï¼š12V或6V进入GPUæ¿å¡,,由å几甚至几å相分立Buck转æ¢å™¨ï¼ˆDrMOS+电感+电容阵列)将电压进一步拉低至焦点所需的0.6-1.2V。。。。问题è—在物ç†è·ç¦»é‡Œâ€”—从æ¿å¡è¾¹æ²¿çš„电æºå…¥å£,,到芯片下方密如蛛网的供电网络(PDN),,PCB铜箔走线几厘米的è·ç¦»å¼•入的寄生阻抗,,足以在瞬æ€ç”µæµè·³å˜æ—¶åˆ¶é€ ä¸¥é‡çš„IR压é™å’Œå“应延迟。。。。GPU频率越高ã€ç”µæµè½¬å˜è¶Šå¼ºçƒˆ,,这个"最åŽä¸€è‹±å¯¸"的问题就越致命。。。。

VPD(Vertical Power Delivery,,笔直供电)的æ€ç»ªç²—暴而有用:ä¸å†æŠŠç”µæºæ”¾åœ¨æ¿å¡è¾¹æ²¿,,而是直接置于XPU芯片的正下方(或正上方),ï¼Œé€šè¿‡ç¬”ç›´äº’è¿žç»“æž„å°†ä¾›ç”µè·¯å¾„ä»Žå‡ åæ¯«ç±³åŽ‹ç¼©åˆ°æˆ‹æˆ‹å‡ æ¯«ç±³。。。。

· 供电回路电感断崖å¼ä¸‹é™,,瞬æ€å“应能力呈数目级æå‡â€”—GPUçªå‘满载时,,电压ä¸ä¼šå…ˆ"跌一个å‘"冿‹‰å›žæ¥ï¼›ï¼›

· IR压é™å¤§å¹…收窄,,效率净æå‡1-2个百分点。。。。å¬èµ·æ¥æœªå‡ ????关于å•å¡åŠŸè€—1400Wçš„B300æ¥è¯´,,2%就是足足28W——çœä¸‹æ¥çš„䏿˜¯ç”µè´¹,,是从散热系统里抢回æ¥çš„热预算。。。。

VPD解决的是"供电ä½ç½®"问题,,IVR(Integrated Voltage Regulator,,集æˆç¨³åŽ‹å™¨ï¼‰è§£å†³çš„æ˜¯"é›†æˆæ·±åº¦"问题——把最åŽä¸€çº§çš„é™åŽ‹åŠŸæ•ˆç›´æŽ¥åµŒå…¥åˆ°XPUå°è£…内部甚至Die上,,用硅基电感ã€ç‰‡ä¸Šç”µå®¹æ›¿æ¢ä¸€åˆ‡åˆ†ç«‹å™¨ä»¶。。。。

å¬ä¸ŠåŽ»åƒç§‘å¹»????Intel的数æ®ä¸­å¿ƒCPUå·²ç»é‡äº§æ­è½½FIVR(全集æˆç”µåŽ‹è°ƒç†å™¨ï¼‰ï¼›ï¼›å°ç§¯ç”µçš„CoWoS先进å°è£…,,使得在GPUå°è£…基æ¿å†…嵌入部分供电功效æˆä¸ºå¯å·¥ç¨‹åŒ–的选项。。。。VPD+IVRçš„ç»„åˆæ‹³,,实质上是将供电网络从"æ¿çº§"往下压缩到"å°è£…级"å†åŽ‹ç¼©åˆ°"芯片级"。。。ã€‚è¿™å…³äºŽå¤æ¿åˆ†ç«‹ç”µæºå™¨ä»¶ä¾›åº”商是一é“å‡›å†½çš„å¯’é£Žå¹æ¥,,但关于先进å°è£…和硅基无æºå™¨ä»¶çš„玩家,,则是一扇正在被撞开的万亿级新大门。。。。

å…­ã€å››æ¡æ‰‹è‰ºè½´çº¿æ­£åœ¨åŒæ­¥å…±æŒ¯

AIDC供电架构的演å˜ä¸æ˜¯å•点çªç ´,ï¼Œè€Œæ˜¯å››æ¡æ‰‹è‰ºè½´çº¿åœ¨ç»Ÿä¸€æ—¶é—´çª—å£å†…å½¢æˆå…±æŒ¯。。。。明确这ç§å…±æŒ¯,,æ‰åŽçœ‹æ¸…投资时机的时间梯度。。。。

高压化:从中低压交æµåˆ°800V/1000V高压直æµ,,电压å“级数å倿”€å‡,ï¼Œæ¢æ¥çš„æ˜¯é“œæç”¨é‡æ–­å´–å¼é•Œæ±°ã€ä¼ è¾“消耗数目级下é™ã€ä»¥åŠç³»ç»Ÿæ‹“扑的大幅简化。。。。800V䏿˜¯ç»ˆç‚¹,,±1000V已在视野之内。。。。

ç›´æµåŒ–:从"AC-DC-AC-DC"的多次é‡å¤è½¬æ¢,,到"AC-DC"一次到ä½åŽå…¨é“¾è·¯ç›´æµé…é€。。。。æ¯ç¥›é™¤ä¸€æ®µäº¤æµ,ï¼Œå°±ç¥›é™¤ä¸€ç»„æ•´æµæ¶ˆè€—ã€ä¸€ç»„无功环æµã€ä¸€ç»„EMI滤波器。。。。当数æ®ä¸­å¿ƒå†…部彻底离别交æµç”µ,,供电效率的天花æ¿å°†è¢«æ•´ä½“抬高。。。。

高密化:功率密度从100W/in?å‘180W/in?+冲刺。。。。SiCå’ŒGaN器件闪开关频率从几åkHz跃入数百kHz,ï¼Œç£æ€§å…ƒä»¶ä½“积éšä¹‹éª¤ç¼©â€”—高频化是高密化的唯一物ç†é€šé“。。。。

智能化:AI算法最先åå‘èµ‹èƒ½ç”µæºæ²»ç†ï¼šåЍæ€è´Ÿè½½å±•望æå‰è°ƒé…功率资æº,ï¼Œæ™ºèƒ½å‰Šå³°å¡«è°·å¹³æ»‘çž¬æ€æ”»å‡»,,故障预判把被动抢修å˜ä¸ºè‡ªåŠ¨é¢„é˜²。。。。电æºä¸å†æ˜¯"傻供电",,而是一个嵌入能æºå¤§è„‘的智能节点。。。。

è¦å®³èŠ‚ç‚¹ï¼š800V HVDC架构预计2027年进入大规模安排,,这将æˆä¸ºæ•´ä¸ªå·¥ä¸šé“¾ä»Ž"试水"到"放é‡"的分水岭。。。。

ä¸ƒã€æ•£çƒ­ï¼šåŠŸçŽ‡å¯†åº¦å¼•çˆ†çš„"热天花æ¿"

当功率密度一连å‘180W/in?è¿«è¿‘,,散热ä¸å†æ˜¯é…è§’,,而是决议方案生死的硬约æŸ。。。。液冷已ç»ä»Ž"锦上添花"é…¿æˆäº†"没有ä¸å¯"。。。。

高功率液冷电æºï¼šç”µæº????樽陨肀匦æžé‚®èŠ¤è±ª,,与机柜的CDU和液冷管路一体化设计。。。。"风冷电æº+液冷芯片"çš„åˆ†ä½“æ¨¡å¼æ­£åœ¨è¢«å½»åº•扬弃,,走å‘"全链路液冷"——从æ¯çº¿åˆ°èŠ¯ç‰‡,,æ¯ä¸€ä¸ªå‘热环节都被液体接å—。。。。

å¾®æµä½“冷å´ï¼šä½¿ç”¨å¾®ç±³çº§é€šé“将冷崿¶²å‡†ç¡®è¿é€è‡³èŠ¯ç‰‡å¤–è²Œ,,实现冷å´ä»‹è´¨ä¸Žå‘热点的"é›¶è·ç¦»"热交æµ。。。。实质上,,这是在å°è£…内部构建一个微缩版的散热网络——当å®è§‚标准的液冷迫近æžé™,,微观标准的æµä½“æ²»ç†å°±æ˜¯ä¸‹ä¸€ä¸ªæˆ˜åœº。。。。

瞬æ€åŠŸçŽ‡æ²»ç†ï¼šAI训练和推ç†çš„功耗曲线æžå…¶"神ç»è´¨"——毫秒级内从怠速跳到满载å†è·³å›žæ¥。。。ã€‚å¤æ¿ç”µæºçš„"æ’压硬扛"模å¼åœ¨è¿™ç§é«˜é¢‘强烈波动下效率崩塌。。。ã€‚ä¸€ç§æ–°æ€ç»ªæ­£åœ¨å…´èµ·ï¼šç”¨Nyobolt电池系统(能é‡å¯†åº¦æ˜¯è¶…等电容的20å€,,循环寿命超百万次)和EPIC削峰填谷????椋ǚ逯40kW@200ms),,在电æºå’ŒGPU之间æ’å…¥"电化学缓冲层",ï¼Œç”¨å‚¨èƒ½å¸æ”¶çž¬æ€å°–å³°ã€å¡«è¡¥çž¬æ€è°·åº•,,让主电æºå§‹ç»ˆè¿è¡Œåœ¨å¹³ç¨³çš„å¹³å‡åŠŸçŽ‡ç‚¹ä¸Š。。。。——这ä¸ä½†æ˜¯ä¾›ç”µé—®é¢˜,,这实质上是在GPUä¾§åš"电力套利"。。。。

å…«ã€å·¥ä¸šé“¾æŠ•资地图:è°åœ¨"电力高速公路"上设收费站????

AIDC供电架构的范å¼é©å‘½,,实质是把数æ®ä¸­å¿ƒä»Ž"电网的最åŽè´Ÿè·"å‡çº§ä¸º"能æºç½‘络的焦点节点"。。。。æ¯ä¸€æ¬¡è½¬æ¢ã€æ¯ä¸€ä¸ªå™¨ä»¶ã€æ¯ä¸€ç§è´¨æ–™,,都是这æ¡é«˜é€Ÿå…¬è·¯ä¸Šçš„æ”¶è´¹ç«™â€”—并且一旦铺开,,æ¢ä¸æŽ‰çš„。。。。以下按工业链环节é€ä¸€æ¢³ç†。。。。

在800V/1000V高压场景下,ï¼Œå¤æ¿ç¡…基IGBTå’ŒMOSFET的开关消耗和导通消耗已无法接å—。。。。SiC MOSFETå’ŒGaN HEMT䏿˜¯"更好的选择",,而是"唯一的选择"。。。。从衬底到外延到器件到????,,海内工业链正在加速闭环。。。。

高压大电æµåœºæ™¯å¯¹PCBçš„è¦è°´è´£é¢å‡çº§ï¼šæ›´é«˜è€åŽ‹ã€æ›´åŽšé“œç®”ã€æ›´ä¼˜æ•£çƒ­。。。。HVDC电æº????楹é€å“笵CDC转æ¢å™¨çš„PCB从"é…è§’"é…¿æˆäº†"è¦å®³å™¨ä»¶"。。。。

800V→50V的高压砖å—DCDC????槭钦黾芄怪凶畈豢商婊å"电力路由器"。。。。50V→12V/6Vçš„IBCã€ä»¥åŠæ¿çº§å¤šç›¸ç”µæºåŒæ ·æ˜¯ç¡®å®šæ€§çš„增é‡å¸‚场。。。。这一环节å£åž’æœ€é«˜ã€æ¯›åˆ©çŽ‡æœ€åŽšã€å›½äº§æ›¿æ¢ç©ºé—´æœ€å¤§。。。。

高频化ã€å¤§ç”µæµåŒ–对被动元器件的è€åŽ‹ã€æ¸©åº¦ç‰¹å¾ã€é¢‘率å“应æå‡ºäº†è‹›åˆ»è¦æ±‚。。。。LLCè°æŒ¯ç”µå®¹ã€é«˜åŽ‹MLCC滤波电容ã€é«˜é¢‘大电æµåŠŸçŽ‡ç”µæ„Ÿâ€”â€”å•å°AIæœåŠ¡å™¨çš„ç”¨é‡æ˜¯å¤æ¿æœåŠ¡å™¨çš„5-10å€。。。。

电æº????æ©è±ªæµ ä¾¨èŒƒã„éƒ§é­‡å•¤æƒ«Î²æ‹­èŠæ”˜æ“è½æŽ£é²¢å…„,ï¼Œé£Žå†·çš„ç‰©ç†æžé™å°±è¢«é”死了。。。。冷æ¿ã€CDUã€æ¶²å†·ç®¡è·¯,ï¼Œä»¥åŠæ›´è¿œçš„å¾®æµä½“芯片级散热,,组æˆäº†ä¸€æ¡ä¸ŽåŠŸçŽ‡å¯†åº¦æ­£ç›¸å…³çš„"å½±å­èµ›é“"。。。。

VPDå’ŒIVR从实验室走å‘产线,,焦点瓶颈ä¸åœ¨ç”µè·¯è®¾è®¡,,在å°è£…。。。。å°ç§¯ç”µCoWoSã€Intel EMIBç­‰2.5D/3Då°è£…手艺,,以åŠç¡…电容ã€ç¡…åŸºç”µæ„Ÿç­‰å¼‚è´¨é›†æˆæ— æºå™¨ä»¶,,是芯片级供电è½åœ°çš„先决æ¡ä»¶。。。ã€‚æŠ•èµ„è¿™ä¸€çŽ¯èŠ‚éœ€è¦æ›´é•¿çš„è€å¿ƒ,,但天花æ¿ä¹Ÿæœ€é«˜。。。。

ä¹ã€æŠ•资时钟:别åªçœ‹åå‘,,更è¦çœ‹èŠ‚å¥

AIDC供电架构的演进是一场å年为å•ä½çš„长期战。。。。差别的工业环节,,è½åœ°èŠ‚å¥å·®ç€å¥½å‡ å¹´。。。。在准确的时间买准确的环节,,比在任何时间买所有环节,,回报å¯èƒ½å·®ä¸€ä¸ªæ•°ç›®çº§。。。。

焦点å—益:高压DCDCç –å—电æºã€SiC功率器件ã€HVDCé…电装备ã€PCBåŠé“œæ。。。。 800V HVDC釿–°éƒ¨CSP的试点项目走å‘规模安排,ï¼Œè£…å¤‡é‡‡è´­è¿›å…¥ç¬¬ä¸€æ³¢æ”¾é‡æœŸ。。。。这一阶段是"è°æœ‰äº§èƒ½è°èµ¢"的供应驱动行情。。。。

焦点å—益:VPD电æº????椤â’嘞郉rMOSã€é«˜é¢‘MLCCã€é«˜é¢‘ç”µæ„Ÿã€æ¶²å†·æ•£çƒ­。。。。 GPU功耗继续攀å‡,,æ¿ä¸Šä¾›ç”µç”µåŽ‹ä»Ž12Vå‘6V过渡,,VPD从旗舰GPUå‘全系列渗é€。。。。液冷从机柜级下沉到????榧,,散热工业链的价值é‡è¢«é‡æ–°å®šä»·。。。。

焦点å—益:先进å°è£…ã€ç¡…基无æºå™¨ä»¶ã€å¾®æµä½“冷å´ã€èŠ¯ç‰‡çº§IVR。。。。供电功效深度嵌入芯片å°è£…——这å¯èƒ½æ˜¯å¯¹å¤æ¿åˆ†ç«‹ç”µæºå·¥ä¸šé“¾æœ€å½»åº•的一次"创立性破æŸ"。。。。投资人需è¦åŒæ—¶å…³æ³¨ï¼šè°åœ¨å—益,,以åŠè°åœ¨è¢«å€¾è¦†。。。。

片尾语:电力也有自己的"摩尔定律"

已往二åå¹´,,所有人都在谈论芯片的摩尔定律——晶体管密度æ¯18-24个月翻一番。。。。但在èšå…‰ç¯ä¹‹å¤–,,驱动这些晶体管的电力系统也在悄无声æ¯åœ°éµç…§è‡ªå·±çš„æŒ‡æ•°æ›²çº¿ï¼šç”µåŽ‹å“级é€å¹´æ”€å‡,ï¼Œè½¬æ¢æ•ˆçŽ‡æ— é™è¿«è¿‘ç‰©ç†æžé™,,功率密度以年化15-20%的速率膨胀。。。。

从交æµåˆ°ç›´æµ,,从中低压到800V高压,,从机架内的分立电æºåˆ°èŠ¯ç‰‡å†…éƒ¨çš„é›†æˆç¨³åŽ‹å™¨â€”â€”AIDC供电架构的æ¯ä¸€æ¬¡è·ƒè¿,ï¼Œå®žè´¨ä¸Šéƒ½æ˜¯åœ¨é‡Šæ”¾è¢«ç”µèƒ½è½¬æ¢æ¶ˆè€—锿­»çš„那部分算力。。。。

关于身处其中的创业公å¸å’ŒæŠ•资人,ï¼Œè¿™ä¸æ˜¯ä¸€ä¸ªå…³äºŽ"电æº"的窄众故事。。。。这是一场关乎AIåŸºç¡€è®¾æ–½åº•åº§çš„é‡æž„,,一张正在å¾å¾ç开的åƒäº¿çº§å·¥ä¸šé“¾æŠ•资地图——而地图上的路标,,正指å‘高压ã€ç›´æµã€é«˜å¯†åº¦ã€èŠ¯ç‰‡çº§é›†æˆçš„统一åå‘。。。。

ã€å…责声明】本文仅供信æ¯å‚考与行业研究,,ä¸ç»„æˆä»»ä½•投资建议。。。。文中涉åŠçš„上市公å¸ä¿¡æ¯æ³‰æºäºŽæžœçœŸèµ„æ–™,,投资者应自力判断并肩负投资风险。。。。

@张心怡:肥婆xⅩ,ï¼Œå°æ¹¾ç½‘çº¢â€œé¦†é•¿â€æ‰“å¡éƒ½æ±Ÿå °æ°´åˆ©å·¥ç¨‹
@郑佳玲:一株百年野山å‚的工业化新生
@颜晴平:80å²è€çˆ·çˆ·å轮椅看è‹è¶…

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