双面供电!英特尔14A2魔改工艺硬刚台积电1.4nm
快科技7月7日新闻,,,,,,据报道,,,,,,为应对台积电与三星即将推出的1.4纳米级芯片手艺,,,,,,英特尔妄想在标准的14A工艺基础上,,,,,,推出一项名为14A2(即14A Gen2)的改良版制程。。。。。
针对14A2工艺,,,,,,英特尔思量在原定背部供电的基础上,,,,,,同时保存部分前部供电,,,,,,形成前后双侧供电方案,,,,,,以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的手艺挑战。。。。。
别的,,,,,,英特尔妄想在14A工艺中接纳名为PowerDirect的背部供电手艺,,,,,,将供电网络转移至晶圆反面。。。。。在作为半节点升级版本的14A2工艺上,,,,,,英特尔妄想进一步缩小最低金属互连层M0间距。。。。。
目的是从14A的约28纳米压缩至约21纳米,,,,,,以提升晶体管密度并提高High-NA EUV光刻装备的经济性。。。。。
凭证蹊径图,,,,,,英特尔妄想于2026年10月向外部客户提供14A工艺0.9版本工艺设计套件,,,,,,随后争取在18个月内获得大型无晶圆厂芯片设计企业的订单。。。。。2028年启动风险试产、2029年实现量产。。。。。
与此同时,,,,,,台积电A14晶圆厂预计2027年底试产、2028年下半年量产。。。。。三星则妄想2029年量产1.4纳米工艺。。。。。三巨头将在1.4纳米节点正面交锋。。。。。
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