65nm做AI芯片能效远超A100!SK海力士这次玩大了
2026-07-20 19:34:12 宣布
泉源:天眼查
作者:陈怡秀
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快科技7月11日新闻,,SK海力士、TetraMem和南加州大学联合搞了个大事,,宣布了基于忆阻器(memristor)的存内盘算(IMC)SoC(片上系统)芯片,,专攻边沿AI装备。。。
这款芯片焦点卖点是能效,,在100MHz下抵达21.3 TOPS/W,,400MHz下也有11.9 TOPS/W,,论文称其能效比英伟达A100的INT8模式横跨一个数目级。。。
但性能就有点拉了,,峰值只有2.54 TOPS,,比微软Copilot+的要求低了16倍。。。
芯片用65nm老工艺制造,,内含10个NPU(神经网络处理单位),,9个跑古板操作,,1个专门优化深度可疏散卷积(DWC)。。。
优化后的NPU用了锯齿形交织阵列拓扑,,把选择线改成斜向走线,,实现28个自力的3×3卷积并行,,阵列使用率拉满。。。
忆阻器编程精度只有约2 bit,,团队用双子阵列赔偿手艺提升到约4 bit,,思绪类似英伟达NVFP4,,但一个走数字赔偿,,一个走模拟赔偿。。。
现实演示用MobileNetV1Small跑测试,,端到端推理精度80.36%,,与4-bit软件模子相当,,但10个NPU只用了6个,,论文没披露满载的真实吞吐量。。。
SK海力士认真忆阻器器件开发和制造,,用后端工艺把阻变存储单位集成在65nm CMOS电路上方。。。
这篇论文实质是个看法验证,,能效数据亮眼但性能数字不太能打,,不过对功耗敏感的边沿AI场景,,这个偏向值得关注。。。
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责任编辑:张柏钧 校对:赵于新