快科技7月11日新闻，，，，韩国和日本研究职员在2026年IEEE/JSAP VLSI手艺与电路钻研会上，，，，同时提出了两种全新的HBM（高带宽内存）方案，，，，焦点思绪惊人一致：把DRAM（动态随机存取内存）芯片竖起来放，，，，解决AI芯片越来越严重的散热瓶颈。。。。

韩国方案叫V-Die，，，，由蔚山国家科学手艺研究所（UNIST）提出。。。。这套设计把定制DRAM芯片旋转90度竖直放置，，，，用TSV（硅通孔）释放芯片面积来塞更多内存单位，，，，每个芯片底部自力走I/O通道，，，，相邻芯片之间还塞了液冷散热通道。。。。

模拟测试中，，，，同样容量下V-Die跑GPT-3级别负载抵达540 tokens/s，，，，而古板HBM4只有296 tokens/s，，，，性能翻了近一倍。。。。

日本方案叫MOSAIC，，，，由东京大学团队主导，，，，思绪类似但重点差别，，，，它用正交芯片堆叠加上无接触芯片间接口，，，，数据传输不靠物理触点，，，，而是通过微型电感线圈耦合，，，，每个通道速率跑到4 Gbps。。。。

研究团队称这种结构能让DRAM-on-GPU设置下的容量抵达HBM4的两倍。。。。

两种方案直指统一个痛点，，，，AI芯片被内存卡脖子，，，，现代AI加速器算力够强，，，，但大模子要频仍在内存和盘算单位之间搬运海量数据，，，，HBM靠笔直堆叠DRAM芯片靠近处理器来缓解这个矛盾，，，，英伟达Blackwell Ultra B300就配了288GB HBM3E。。。。

但堆得越高散热越难，，，，V-Die和MOSAIC实质上都是用"侧放"换散热空间，，，，顺便还把带宽和容量一起拉上去了。。。。

不过这两项手艺现在还停留在论文阶段，，，，距离量产尚有距离。。。。

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