双面供电!英特尔14A2魔改工艺硬刚台积电1.4nm
2026-07-12 05:46:38 宣布
泉源:安卓乐园
作者:刘建德
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快科技7月7日新闻,,,据报道,,,为应对台积电与三星即将推出的1.4纳米级芯片手艺,,,英特尔妄想在标准的14A工艺基础上,,,推出一项名为14A2(即14A Gen2)的改良版制程。。
针对14A2工艺,,,英特尔思量在原定背部供电的基础上,,,同时保存部分前部供电,,,形成前后双侧供电方案,,,以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的手艺挑战。。
别的,,,英特尔妄想在14A工艺中接纳名为PowerDirect的背部供电手艺,,,将供电网络转移至晶圆反面。。在作为半节点升级版本的14A2工艺上,,,英特尔妄想进一步缩小最低金属互连层M0间距。。
目的是从14A的约28纳米压缩至约21纳米,,,以提升晶体管密度并提高High-NA EUV光刻装备的经济性。。
凭证蹊径图,,,英特尔妄想于2026年10月向外部客户提供14A工艺0.9版本工艺设计套件,,,随后争取在18个月内获得大型无晶圆厂芯片设计企业的订单。。2028年启动风险试产、2029年实现量产。。
与此同时,,,台积电A14晶圆厂预计2027年底试产、2028年下半年量产。。三星则妄想2029年量产1.4纳米工艺。。三巨头将在1.4纳米节点正面交锋。。
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责任编辑:辛民侑 校对:陈涵纯