65nm做AI芯片能效远超A100！SK海力士这次玩大了
快科技7月11日新闻，，，，，SK海力士、TetraMem和南加州大学联合搞了个大事，，，，，宣布了基于忆阻器（memristor）的存内盘算（IMC）SoC（片上系统）芯片，，，，，专攻边沿AI装备。。。。。。
这款芯片焦点卖点是能效，，，，，在100MHz下抵达21.3 TOPS/W，，，，，400MHz下也有11.9 TOPS/W，，，，，论文称其能效比英伟达A100的INT8模式横跨一个数目级。。。。。。
但性能就有点拉了，，，，，峰值只有2.54 TOPS，，，，，比微软Copilot+的要求低了16倍。。。。。。
芯片用65nm老工艺制造，，，，，内含10个NPU（神经网络处理单位），，，，，9个跑古板操作，，，，，1个专门优化深度可疏散卷积（DWC）。。。。。。
优化后的NPU用了锯齿形交织阵列拓扑，，，，，把选择线改成斜向走线，，，，，实现28个自力的3×3卷积并行，，，，，阵列使用率拉满。。。。。。
忆阻器编程精度只有约2 bit，，，，，团队用双子阵列赔偿手艺提升到约4 bit，，，，，思绪类似英伟达NVFP4，，，，，但一个走数字赔偿，，，，，一个走模拟赔偿。。。。。。
现实演示用MobileNetV1Small跑测试，，，，，端到端推理精度80.36%，，，，，与4-bit软件模子相当，，，，，但10个NPU只用了6个，，，，，论文没披露满载的真实吞吐量。。。。。。
SK海力士认真忆阻器器件开发和制造，，，，，用后端工艺把阻变存储单位集成在65nm CMOS电路上方。。。。。。
这篇论文实质是个看法验证，，，，，能效数据亮眼但性能数字不太能打，，，，，不过对功耗敏感的边沿AI场景，，，，，这个偏向值得关注。。。。。。
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