快科技7月11日新闻，，韩国和日本研究职员在2026年IEEE/JSAP VLSI手艺与电路钻研会上，，同时提出了两种全新的HBM（高带宽内存）方案，，焦点思绪惊人一致：把DRAM（动态随机存取内存）芯片竖起来放，，解决AI芯片越来越严重的散热瓶颈。。
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韩国方案叫V-Die，，由蔚山国家科学手艺研究所（UNIST）提出。。
。。这套设计把定制DRAM芯片旋转90度竖直放置，，用TSV（硅通孔）释放芯片面积来塞更多内存单位，，每个芯片底部自力走I/O通道，，相邻芯片之间还塞了液冷散热通道。。
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模拟测试中，，同样容量下V-Die跑GPT-3级别负载抵达540 tokens/s，，而古板HBM4只有296 tokens/s，，性能翻了近一倍。。
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日本方案叫MOSAIC，，由东京大学团队主导，，思绪类似但重点差别，，它用正交芯片堆叠加上无接触芯片间接口，，数据传输不靠物理触点，，而是通过微型电感线圈耦合，，每个通道速率跑到4 Gbps。。
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研究团队称这种结构能让DRAM-on-GPU设置下的容量抵达HBM4的两倍。。
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两种方案直指统一个痛点，，AI芯片被内存卡脖子，，现代AI加速器算力够强，，但大模子要频仍在内存和盘算单位之间搬运海量数据，，HBM靠笔直堆叠DRAM芯片靠近处理器来缓解这个矛盾，，英伟达Blackwell Ultra B300就配了288GB HBM3E。。
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但堆得越高散热越难，，V-Die和MOSAIC实质上都是用"侧放"换散热空间，，顺便还把带宽和容量一起拉上去了。。
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不过这两项手艺现在还停留在论文阶段，，距离量产尚有距离。。
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