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韩日同时脱手!DRAM芯片竖着放:AI内存散热难题有解了,,,,,,bbo桥牌官网中文官方网
快科技7月11日新闻,,,,,,韩国和日本研究职员在2026年IEEE/JSAP VLSI手艺与电路钻研会上,,,,,,同时提出了两种全新的HBM(高带宽内存)方案,,,,,,焦点思绪惊人一致:把DRAM(动态随机存取内存)芯片竖起来放,,,,,,解决AI芯片越来越严重的散热瓶颈。。。
韩国方案叫V-Die,,,,,,由蔚山国家科学手艺研究所(UNIST)提出。。。这套设计把定制DRAM芯片旋转90度竖直放置,,,,,,用TSV(硅通孔)释放芯片面积来塞更多内存单位,,,,,,每个芯片底部自力走I/O通道,,,,,,相邻芯片之间还塞了液冷散热通道。。。
模拟测试中,,,,,,同样容量下V-Die跑GPT-3级别负载抵达540 tokens/s,,,,,,而古板HBM4只有296 tokens/s,,,,,,性能翻了近一倍。。。
日本方案叫MOSAIC,,,,,,由东京大学团队主导,,,,,,思绪类似但重点差别,,,,,,它用正交芯片堆叠加上无接触芯片间接口,,,,,,数据传输不靠物理触点,,,,,,而是通过微型电感线圈耦合,,,,,,每个通道速率跑到4 Gbps。。。
研究团队称这种结构能让DRAM-on-GPU设置下的容量抵达HBM4的两倍。。。
两种方案直指统一个痛点,,,,,,AI芯片被内存卡脖子,,,,,,现代AI加速器算力够强,,,,,,但大模子要频仍在内存和盘算单位之间搬运海量数据,,,,,,HBM靠笔直堆叠DRAM芯片靠近处理器来缓解这个矛盾,,,,,,英伟达Blackwell Ultra B300就配了288GB HBM3E。。。
但堆得越高散热越难,,,,,,V-Die和MOSAIC实质上都是用"侧放"换散热空间,,,,,,顺便还把带宽和容量一起拉上去了。。。
不过这两项手艺现在还停留在论文阶段,,,,,,距离量产尚有距离。。。
| 软件名称 | bbo桥牌官网中文官方网 |
| 软件版本 | v9.92.314 |
| 软件巨细 | 958.21KB |
| 软件分类 | 工具软件 |
| 运行平台 | Android/ios/winall/win7/win10/win11 |
| 软件授权 | 免费版 |
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